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IXFK 90N30
IXFX 90N30
10
20
f = 100kHz
8
6
4
2
0
V DS = 150 V
I D = 45 A
I G = 10 mA
10
5
1
0.5
Crss
Coss
Ciss
0
50
100
150
200
250
300
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Gate Charge - nC
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
200
160
120
V DS - Volts
Fig.8 Capacitance Curves
80
T J = 125 O C
T J = 25 O C
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V SD - Volts
Fig.9 Drain Current vs Drain to Source Voltage
1.000
0.100
0.010
0.001
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
Pulse Width - Seconds
Fig.10 Transient Thermal Impedance
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
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